КТ819В транзистор биполярный

Технические параметры:

• Тип транзистора  КТ819В, кремниевый  меза-эпитаксиально-планарный, 
• биполярный,  низкочастотный, усилительный.
• Находит применение в усилителях низкой частоты, преобразователях и
• Линейных и ключевых устройствах, выходные каскады звуковоспроизводящих
• Устройств.
• Структура  n-p-n
• Напряжение насыщения  коллектор-эмитер  Uкэ =2 В.
• Напряжение насыщения база-эмитер Uбэ = 3 В
• Статический коэффициент передачи тока  с ОЭ  Uб-э (h21Э) =19
• Предельный постоянный ток коллектора Ic = 10 А
• Предельный импульсный ток коллектора  =15А
• Предельный постоянный ток базы  Ib = 3 А
• Предельный импульсный постоянный ток базы  Ib = 5 А
• Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uce =70 В
• Предельное постоянное напряжение эмиттер-база Ueb =5 В
• Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора Pc =60 W
• Граничная частота коэффициента передачи тока ft =3  MHz
• Время выключения tвыкл = 2,5 мкс
• Предельная температура p-n перехода Tt =125 C
• Ёмкость коллекторного перехода Cк = 600 пф
• Ёмкость эммитерного перехода Сэ = 115 пф
• Обратный ток коллектора Iкбо = 1 мА
• Корпусное исполнение
• Корпус пластмассовый  ТО-220
• Особенности
• Диапазон рабочих температур t = от-40 до +100 гр.