Новости, обзоры и акции
IXSH45N120 ,TO247
Основные параметры:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3 V
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Тип корпуса: TO247
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.
IGBT применяют при работе с высокими напряжениями (более 1000 В), высокой температурой (более 100 °C) и высокой выходной мощностью (более 5 кВт). IGBT используются в схемах управления двигателями (при рабочей частоте менее 20 кГц), источниках бесперебойного питания (с постоянной нагрузкой и низкой частотой) и сварочных аппаратах (где требуется большой ток и низкая частота — до 50 кГц).
"