AP4525GEH ,TO252-4L

Основные характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: NP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10.4 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V
  
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15(12) A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 20(15) ns
• Выходная емкость (Cd): 100(165) pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028(0.042) Ohm
• Тип корпуса: TO252-4L
• Аналоги: Нет