IRFD9120 ,DIP4-300-2.54

Основные параметры:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: P
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток истока (Id): 1 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Cопротивление  сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
• Тип корпуса: HEXDIP
• Аналоги: Нет

Предназначение:

Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.

Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.

Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.

IGBT применяют при работе с высокими напряжениями (более 1000 В), высокой температурой (более 100 °C) и высокой выходной мощностью (более 5 кВт). IGBT используются в схемах управления двигателями (при рабочей частоте менее 20 кГц), источниках бесперебойного питания (с постоянной нагрузкой и низкой частотой) и сварочных аппаратах (где требуется большой ток и низкая частота — до 50 кГц).