Новости, обзоры и акции
BU323Z ,TO3P
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2500
- Корпус транзистора: TO3P
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.