Новости, обзоры и акции
H5N3011 ,TO3P
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 88 A
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
- Тип корпуса: TO3P
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.