Новости, обзоры и акции
2SK4108 ,TO3P
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Время нарастания (tr): 70 ns
- Выходная емкость (Cd): 320 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
- Тип корпуса: TO3P
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.