Новости, обзоры и акции
2SK2607 ,TO3P
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
- Тип корпуса: TO3P
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.