КТ829В транзистор биполярный

Технические параметры:

• Тип транзистора  КТ829В, кремниевый  меза -планарный, составной
• биполярный,  низкочастотный, усилительный.
• Находит применение в усилителях низкой частоты и ключевых
• устройствах.
• Структура  n-p-n
• Напряжение насыщения  коллектор-эмитер  Uк-э =2 В.
• Напряжение насыщения база-эмитер Uб-э =2.5 В
• Статический коэффициент передачи тока  с ОЭ  Uбэ (h21Э) =750
• Предельный постоянный ток коллектора Tc = 8 А
• Предельный импульсный ток коллектора  =12А
• Предельный постоянный ток базы  Ib = 1 А
• Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uce =В0 В
• Предельное постоянное напряжение эмиттер-база Ueb =5 В
• Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора Pc =60 W
• Граничная частота коэффициента передачи тока ft =4 MHz
• Предельная температура p-n перехода Tt =150 C
• Ёмкость коллекторного перехода Cc = 60 пф
• Ёмкость эммитерного перехода Сэ = 115 пф
• Обратный ток коллектора Iкбо = 1,5 мА
• Коэффициент  шума  =2  дб
• Корпусное исполнение
• Корпус пластмассовый  ТО-220
• Особенности
• Диапазон рабочих температур t = от-40 до +85 гр.
• lign:justify;line-height:normal'>Диапазон рабочих температур t = от-40 до +85 гр.