КТ812Б транзистор биполярный

Технические параметры КТ812Б:

• Структура транзистора n-p-n
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора (IК max) 8 А
• Максимально допустимый импульсный ток коллектора (IК. И. max) 12 А
• Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер (UКЭR max) 300 В
• Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю (UКЭ0 max) 300 В
• Максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю (UКБ0 max)
• Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю(UЭБ0 max) 7 В
• Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора (РК max) 50 Вт
• Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом (РК. Т. max) 50 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) >4
• Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора (UКЭ нас.) <2.5 В
• Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера (IКБО) 5мА
• Обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора (IЭБО) 150 мА
• Граничная частота коэффициента передачи тока (f гр) > 3МГц
• Емкость коллекторного перехода (КШ) < 100 пФ
• Максимально допустимая температура перехода (ТП max) 150 *С
• Максимально допустимая температура окружающей среды (Т max) -40…+85 *С