КТ603Г транзистор биполярный

Технические характеристики

• Транзистор КТ603Г кремниевый эпитаксиально-планарный
• Импульсные высокочастотные маломощные.
• Структура n-p-n
• Предназначен для работы в импульсных и переключательных
• Высокочастотных схемах.
• Тип корпуса КТЮ-3-6 металлостеклянный
• Маркируются буквами на корпусе
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = 1,0 В
• Напряжение насыщения база-эмиттер = 1,5 В
• Статический коэффициент передачи тока = 10-80
• Время рассасывания = 100 нс
• Постоянная времени обратной связи = 25 пс
• Граничная частота передачи тока = 370 МГц
• Ёмкость коллекторного перехода = 3 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода = 35пФ
• Обратный ток коллектора = 5 мкА
• Обратный ток эмиттера = 3 мкА
• Предельное постоянное напряжение коллектор-база = 15 В
• Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер = 15 В
• Предельное постоянное напряжение эмиттер-база = 3 В
• Предельная постоянная мощность = 0,5 Вт
• Температура перехода = 423 К