КТ3132В2 транзистор биполярный

Технические характеристики КТ118Б транзистор биполярный кремниевый двухэмиттерный p-n-p структуры переключательный для модуляторов корпус металлостеклянный КТ1-7 Напряжение база-коллектор                15 В Напряжение на закрытом ключе         15 В Постоянный ток коллектора                  50 мА Ток эмиттера                                              25 мА Напряжение Uэб                                      16 В Мощность эмиттера                                100 мВт Сопротивление открытого ключа    60 Ом Ток закрытого ключа                               0,1 мкА Напряжение на управляющих переходах 1 В

Технические характеристики ГТ308Б транзистор биполярный импульсный маломощный усилительный сплавной p-n-p структуры, германиевый Корпус металлостеклянный Постоянное напряжение Uкб 20 В Предельное напряжение Uкэ 15 В Постоянное напряжение Uбэ 3В Напряжение насыщение 0,5 В Обратный ток Iко                 5 мкА Обратный тк эмиттера      15 мкА Коллекторный ток Iк 50 мА Импульсный ток                120 мА Мощность на коллекторе 150 мВт Коэффициент усиления h21Э до 120 Ёмкость перехода          8 пф Граничная частота             fгр 120 Мгц

2Т921Б транзистор биполярный

П417Г транзистор биполярный