ГТ813В транзистор биполярный

Технические характеристики
ГТ813В, 1Т813В транзистор биполярный
Переключательные диффузионно-
сплавной мощный
p-n-p структуры, германиевый
Корпус металлостеклянный
Постоянное напряжение Uкб 40 В
Предельное напряжение Uкэ 80 В
Постоянное напряжение Uбэ 2 В
Напряжение насыщение 0,8 В
Обратный ток Iко                 16 мА
Обратный ток эмиттера      40 мА
Коллекторный ток Iк 30 А
Импульсный ток Iки 40 А
Постоянный ток базы            5 А
Импульсный ток базы          10А
Мощность на коллекторе 50 Вт
с теплоотводом
Коэффициент усиления h21Э до 60
КТЮ-3-20 тип корпуса