ГТ806Б транзистор биполярный

Технические характеристики

• Транзистор ГТ806Б германиевый диффузионно-сплавные
• Переключательные низкочастотные мощные.
• Структура p-n-p
• Предназначен для работы в импульсных и переключательных
• Схемах, преобразователях, стабилизаторах и в импульсных
• Устройствах.
• Тип корпуса КТЮ-3-20 металлостеклянный
• Маркируются буквами на корпусе
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = 0,6 В
• Напряжение насыщения база-эмиттер = 1,0 В
• Постоянное напряжение база-эмиттер = 1,5 В
• Статический коэффициент передачи тока = 10-100
• Граничная частота передачи тока = 10 МГц
• Обратный ток коллектора-эмиттера =15 мкА
• Обратный ток эмиттера = 8 мА
• Граничное напряжение = 65 В
• Время выключения = 30 мкс
• Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер = 100 В
• Предельное постоянное напряжение эмиттер-база = 2 В
• Предельная постоянная мощность = 30 Вт
• Постоянный ток коллектора = 15 А
• Импульсный ток коллектора = 25 А
• Температура перехода = 423 К