ГТ309Е транзистор биполярный

Технические характеристики
ГТ309Е транзистор биполярный
импульсный маломощный
усилительный сплавной
p-n-p структуры, германиевый
Корпус металлостеклянный
Постоянное напряжение Uкб 10 В
Предельное напряжение Uкэ 10 В
Постоянное напряжение Uбэ 1,5В
Напряжение насыщение 1,2 В
Обратный ток Iко                 5 мкА
Обратный ток эмиттера      15 мкА
Коллекторный ток Iк 10 мА
Импульсный ток                120 мА
Мощность на коллекторе 50 мВт
Коэффициент усиления h21Э до 180
Ёмкость перехода          10 пф
Граничная частота             fгр 40 Мгц