ГТ109Д транзистор биполярный
ГТ109Д транзистор биполярный
Технические характеристики
ГТ109Д транзистор биполярный
низкочастотный маломощный
p-n-p структуры, германиевый
Корпус металлостеклянный
Предельное напряжение Uкэ 6 В
Постоянное напряжение Uбэ 10В
Напряжение насыщение 0,5 В
Максимальное напряжение 10 В
Импульсное напряжение Uкб 16 В
Обратный ток Iко 2 мкА
Коллекторный ток Iк 20 мА
Мощность на коллекторе 30 мВт
Коэффициент усиления h21Э до 70
Ёмкость перехода СЭ 40 пф
Граничная частота fгр 3 Мгц
Выберите один из подарков к этому товару
Похожие товары
КТ827Б транзистор биполярный
П602ИА транзистор биполярный
КТ639А транзистор биполярный
Технические характеристики
ГТ308В транзистор биполярный
импульсный маломощный
усилительный сплавной
p-n-p структуры, германиевый
Корпус металлостеклянный
Постоянное напряжение Uкб 20 В
Предельное напряжение Uкэ 15 В
Постоянное напряжение Uбэ 3В
Напряжение насыщение 1,2 В
Обратный ток Iко 5 мкА
Обратный ток эмиттера 15 мкА
Коллекторный ток Iк 50 мА
Импульсный ток 120 мА
Мощность на коллекторе 150 мВт
Коэффициент усиления h21Э до 150
Ёмкость перехода 8 пф
Граничная частота fгр 120 Мгц
Персональные рекомендации