SIF444 ,TO3PF

Основные параметры:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W
• Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
• Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 600 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Тип корпуса: TO3PF

Предназначение:

Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.

Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.

Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.

IGBT применяют при работе с высокими напряжениями (более 1000 В), высокой температурой (более 100 °C) и высокой выходной мощностью (более 5 кВт). IGBT используются в схемах управления двигателями (при рабочей частоте менее 20 кГц), источниках бесперебойного питания (с постоянной нагрузкой и низкой частотой) и сварочных аппаратах (где требуется большой ток и низкая частота — до 50 кГц).