Новости, обзоры и акции
IKW75N60H3 ( K75H603 ) 80A 600V ,TO247AB
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 428 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
- Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.1 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A
- Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
- Тип корпуса: TO247
- Аналоги: K75H603
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.