Новости, обзоры и акции
H6R385 P ,TO220
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 650 W
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.48 V
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.385 Ohm
- Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C
- Тип корпуса: TO220
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.