Новости, обзоры и акции
AP9971GD ,DIP8
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Время нарастания (tr): 10 ns
- Выходная емкость (Cd): 156 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
- Тип корпуса: DIP8
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.