Новости, обзоры и акции
AP8263 ,DIP8
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 7 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 7 V
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Время нарастания (tr): 270 ns
- Тип корпуса: DIP8
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.