AP4525GEM ,SO8

Основные характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: NP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V
  
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 20 ns
• Выходная емкость (Cd): 100 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
• Тип корпуса: SO8
• Аналоги: Нет