AP4511GD DIP8 ,DIP8

Основные характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: NP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(6.1) A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 7(6) ns
• Выходная емкость (Cd): 150(165) pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025(0.04) Ohm
• Тип корпуса: DIP8
• Аналоги: Нет