2SB688 ,TO3P

Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -8 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 55 до 160
Граничная частота коэффициента передачи тока: 12 МГц
Корпус: TO-3P