2SB649 ,TO126

Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -1.5 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 120
Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
Корпус: TO-126