2SB1624 ,TO218

Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -110 В
Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -6 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 5000 до 30000
Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
Корпус: TO-3P