2SB1361 ,TO3P

Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В
Напряжение коллектор-база, не более: -150 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -9 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 200
Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
Корпус: TO-3P