2SA1265 ,TO3P

Основные параметры:

• Тип материала: Si
• Полярность: PNP
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pс): 100 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Тип корпуса: TO3P
• Аналоги: Нет

Предназначение:

Биполярные транзисторы являются полупроводниковыми приборами универсального назначения и широко применяются в:

• Усилители, каскады усиления
• Генераторы сигналов
• Модулятор
• Демодулятор (Детекторы)
• Инвертор (лог. элемент)
• Микросхемы на транзисторной логике (см. транзисторно-транзисторная логика, диодно-транзисторная логика, резисторно-транзисторная логика)