П702 транзистор биполярный

Технические параметры П702:

• Структура транзистора n-p-n
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора (IК max) 2 А
• Максимально допустимый импульсный ток коллектора (IК. И. max)
• Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер (UКЭR max) 60 В
• Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю (UКЭ0 max) 60 В
• Максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю (UКБ0 max) 60 В
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю (UЭБ0 max) 3 В
• Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора (РК max) 4(40) Вт
• Максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом (РК. Т. max) 4(40) Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) >10
• Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора (UКЭ нас.) 4 В
• Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера (IКБО) 2,5 мА
• Обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора (IЭБО) 15 мА
• Граничная частота коэффициента передачи тока (f гр) 4МГц
• Максимально допустимая температура перехода (ТП max) 150 *С
• Максимально допустимая температура окружающей среды (Т max) -60…+120 *С