КТ837М транзистор биполярный

Технические параметры:

• Тип транзистора  КТ837М, кремниевый  планарный, 
• биполярный,  низкочастотный, усилительный.
• Структура  p-n-p
• Напряжение насыщения  коллектор-эмитер  Uкэ =2,5 В.
• Напряжение насыщения база-эмитер Uбэ =1,5 В
• Статический коэффициент передачи тока  с ОЭ  Uбэ (h21Э) =10-50
• Предельное  постоянное напряжение коллектор-база Ucb =80 В
• Предельный постоянный ток коллектора Tc = 7,5 А
• Предельный постоянный ток базы  Ib = 1 А
• Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uce =70 В
• Предельное постоянное напряжение эмиттер-база Ueb =15 В
• Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора Pc =30 W
• Граничная частота коэффициента передачи тока Ft =1 MHz
• Предельная температура p-n перехода Tt =150 C
• Ёмкость коллекторного перехода Cc
• Корпусное исполнение
• Корпус пластмассовый  КТ-28  (ТО-220)
• Особенности
• Диапазон рабочих температур t = от-60 до +100 гр.