КТ819ГМ транзистор биполярный

Технические характеристики

• Транзистор КТ819ГМ кремниевый меза-эпитаксиально-
• планарный
• Мощный универсальный, низкочастотный.
• Структура n-p-n
• Предназначен для применения в усилителях низкой
• Частоты, операционных и дифференциальных усилителях,
• Преобразователях, и импульсных схемах.
• Тип корпуса КТ-9 (ТО-2) металлостеклянный
• Маркируются буквами на корпусе
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = 2 В
• Напряжение насыщения база-эмиттер = 1,5 В
• Статический коэффициент передачи тока = 12
• Граничное напряжение = 80-110 В
• Граничная частота передачи тока = 12 МГц
• Ёмкость коллекторного перехода = 400-1000 пФ
• Время выключения = 2,5 мкс
• Обратный ток коллектор = 1 мА
• Пробивное напряжение коллектор-база = 60 В
• Пробивное напряжение эмиттер-база = 5 В
• Предельное постоянное напряжение коллектор-
• -эмиттер = 100 В
• Предельное постоянное напряжение коллектор
• - база = 100 В
• Предельное постоянное напряжение эмиттер-
• -база = 5В
• Постоянный ток коллектора = 15 А
• Импульсный ток коллектора = 20 А
• Постоянный ток базы = 3 А
• Импульсный ток базы =5 А
• Предельная постоянная мощность = 100 Вт
• Температура перехода = 423 К