КТ502Д транзистор биполярный

Технические характеристики

• Транзистор КТ502Д кремниевый эпитаксиально-планарный
• Структура p-n-p универсальный низкочастотный маломощный.
• Предназначен для усилителей низкой частоты, операционных
• И дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных
• Схемах.
• Корпус КТ-26 пластмассовый
• Коэффициент шума = 2 дБ
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = 0,16 В
• Напряжение насыщения база-эмиттер = 0,8 В
• Статический коэффициент передачи тока = 40-120
• Граничная частота коэффициента передачи тока = 5 МГц
• Граничное напряжение = 60 В
• Ёмкость коллекторного перехода = 20 пФ
• Обратный ток коллектора = 1 мкА
• Предельное постоянное напряжение коллектор-база = 80 В
• Предельное постоянное напряжение база-эмиттер = 5 В
• Постоянный ток коллектора = 0,15 А
• Импульсный ток коллектора = 0,35 А
• Постоянный ток базы = 0,1 А
• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора = 0,35 Вт
• Температура перехода = 423 К