КТ501Г транзистор биполярный

Технические характеристики

• Транзистор КТ501Г кремниевый эпитаксиально-планарный
• Структура p-n-p усилительный низковольтный маломощный.
• Предназначен для усилителей низкой частоты, м нормируемым
• Коэффициентом шума, операционных и дифференциальных
• Усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
• Корпус КТ-1-7 (ТО-18) металлостеклянный
• Коэффициент шума = 2 дБ
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = 0,4 В
• Напряжение насыщения база-эмиттер = 1,5 В
• Статический коэффициент передачи тока = 20-60
• Граничная частота коэффициента передачи тока = 5 МГц
• Ёмкость коллекторного перехода = 50 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода = 100 пФ
• Обратный ток коллектора = 1 мкА
• Обратный ток эмиттера = 1 мкА
• Предельное постоянное напряжение коллектор-база = 30 В
• Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер =30 В
• Предельное постоянное напряжение база-эмиттер = 10 В
• Постоянный ток коллектора = 0,3 А
• Импульсный ток коллектора = 0,5 А
• Постоянный ток базы = 0,1 А
• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора = 0,35 Вт
• Температура перехода = 423 К