Новости, обзоры и акции
КТ209В транзистор биполярный
Технические характеристики
Транзистор КТ209Б кремниевый эпитаксиально-планарный
маломощный.
Структура p-n-p
Предназначен для работы в усилительных и импульсных
Микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.
Тип корпуса КТ-26 пластмассовый
Маркируются буквами на корпусе
Либо цветными метками на корпусе
Граничная частота передачи тока = 5 МГц
Коэффициент передачи тока = 40-120
Ёмкость коллекторного перехода = 50 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода = 100 пФ
Коэффициент шума = 5 дБ
Входное сопротивление = 130-3500 Ом
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = 0,4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер = 1,5 В
Обратный ток эмиттера =1 мкА
Предельное постоянное напряжение коллектор-база = 15 В
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер = 15 в
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база = 10 В
Предельный постоянный ток коллектора = 150 мА
Предельный импульсный ток коллектора = 500 мА
Предельный постоянный ток базы = 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора =200 мВт
Температура перехода = 423 К