Новости, обзоры и акции
GT30F131 TO263 ,TO263
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 V
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse) A
- Тип корпуса: TO263
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.