AP4575GM ,SO8

Основные характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: NP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
  
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6(4.2) A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 6(9.5) ns
• Выходная емкость (Cd): 140(125) pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036(0.072) Ohm
• Тип корпуса: SO8
• Аналоги: Нет