Новости, обзоры и акции
AOD609 ,TO252-3
Основные характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: NP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27(30) W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
- Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
- Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
- Время нарастания (tr): 3.6(8.4) ns
- Выходная емкость (Cd): 82(97) pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03(0.045) Ohm
- Тип корпуса: TO252-3
- Аналоги: Нет
Предназначение:
Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.
Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.